1、紫光南京半导体产业基地项目投资案最大
　　2017年1月份，紫光集团宣布紫光南京半导体产业基地及新IT投资与研发总部项目，在南京正式签约，总投资2600亿元人民币，其中约300亿美元投向紫光南京半导体产业基地。
　　据悉，紫光南京半导体产业基地项目由紫光集团投资建设，主要产品为3D-NAND FLASH、DRAM存储芯片等，占地面积约1500亩。项目一期投资约100亿美元，月产芯片10万片。
　　紫光南京半导体产业基地项目位于南京市江北新区浦口经济开发区集成电路产业园，以存储芯片及存储器尖端制造环节为突破口，集存储产品设计、技术研发、生产制造、销售于一体，可带动设计、制造、封装、测试等集成电路产业链的发展。
　　而除紫光南京半导体产业基地项目外，紫光集团还将投资约300亿元围绕南京半导体产业基地建设配套IC国际城，包含科技园、设计封装产业基地、国际学校、商业设施、国际人才公寓等综合配套设施，由紫光集团旗下紫光云数科技有限公司为主体。该项目将遵循“国家战略推动、地方大力支持、企业市场化运作”三合一的新模式。该项目巨额的投资强度居中国集成电路行业单体投资前列，将产生巨大的虹吸效应，并吸引更多的产业链企业和科技人才聚集，加快本地高新产业发展。
　　2、武汉新芯32层3D NAND芯片通过各项指标测试
　　2016年3月28日，国家存储器基地项目揭牌落户武汉新芯，项目总投资达240亿美元(约1600亿元人民币)的存储器基地正式启动，以生产Flash、DRAM等存储芯片为主，发展3D NAND技术。
　　该项目位于湖北武汉东湖高新区的光谷智能制造产业园，建设内容包括芯片制造、产业链配套等，将在5年内投资240亿美元，预计到2020年形成月产能30万片的生产规模，到2030年建成每月100万片的产能，年产值将超过100亿美元。而这一存储器基地项目以芯片制造环节为突破口，涵盖存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售等。
　　2016年7月26日，长江存储科技有限责任公司(以下简称长江存储)正式成立。公司注册资本分两期出资，一期由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北国芯产业投资基金合伙企业(有限合伙)和湖北省科技投资集团有限公司共同出资，并在武汉新芯的基础上建立长江存储，赵伟国任长江存储董事长。武汉新芯将是长江存储的全资子公司。二期将由紫光集团和国家集成电路产业投资基金股份有限公司共同出资。项目一期计划2018年建成投产，将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。